| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-251/TO-252 |
51000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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NEXPERIATO252-3 |
500 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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NexperiaTO-252 |
27500 |
22+ |
原装现货,有上库存就有货,假一赔十 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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onTO252/DPAK |
3500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市金泰福电子科技有限公司1年
留言
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CJ/长晶TO-252-2L |
30000 |
24+ |
长晶全系列二三极管原装优势供应,欢迎询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FSC/ON/STTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ON(安森美)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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DIP |
322 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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SOP |
30325 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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ON(安森美)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ONT0-252 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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onsemi(安森美)TO-252-2 |
2412 |
22+ |
QQ询价 绝对原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-252 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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ONSEMINA |
12600 |
2021 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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STNN/A |
530000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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ON/安森美ORIGINAL |
25000 |
22+ |
原装现货、假一赔十 |
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深圳市恒佳微电子有限公司9年
留言
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10560 |
21+ |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
MJD44H11采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MJD44H11图片
MJD44H11G价格
MJD44H11G价格：￥0.6913品牌：ON
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MJD44H11T4资讯
MJD44H11RL 8A80V TO252 NPN 双极 (BJT) - 单 ON安森美
深圳市徐娜嘉盛电子有限公司MJD44H11RLTO2528A80VON
MJD44H11T4G MJD44H11G 44H11 4H11G 小信号晶体管TO-252 ON全新原装【专业配单】
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MJD44H11T4G ON 一级代理商，全球最低价，长期供应，深圳市友开发电子科技有限公司
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MJD44H11 进口原装现货，假一罚百！
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MJD44H11T4中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD44H11功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS
MJD44H11_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD44H11_09制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power transistors
MJD44H11_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD44H11-001功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11-001G制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors
MJD44H11-1G功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11G功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD44H11RL功能描述:两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
20W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-217
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
20
