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MJD45H11A | Marking：MJD45H11A；Package：DPAK；80 V, 8 A PNP high power bipolar transistor 1.Generaldescription PNPhighpowerbipolartransistorinapowerDPAK,TO-252(SOT428C)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:MJD44H11A 2.Featuresandbenefits •Highthermalpowerdissipationcapability •Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration •El | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA |
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