| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
3500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ST/意法TO-252 |
10000 |
23+ |
原装现货 ST车规级全线接受订货 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
留言
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ONTO-252 |
65000 |
23+ |
公司常备大量原装现货可开13%增票！ |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-251/TO-252 |
17000 |
2024+ |
国产品牌isc,质量等同原装 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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ON(安森美)贴片三极管 MJD32C |
7987000 |
23+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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CJ/长电TO-252 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市科翼源电子有限公司1年
留言
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CJTO252 |
12500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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ONTO-252 |
8700 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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CJ/长电TO252 |
7906200 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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CJ/长电TO-252 |
75000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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CJ/长电TO-252 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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CJ/长电TO-252 |
11980 |
2122+ |
只做原装进口正品,假一赔十,价格优势 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台TO-252 |
160668 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ON Semiconductor CorporationSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-252-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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DIODESTO-252 |
36000 |
23+ |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ON/安森美DPAK |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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YANGJIETO252 |
1063 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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ON/安森美DPAK-3 |
20000 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童DPAK |
230 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
MJD32C采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
MJD32C图片
MJD32C-13价格
MJD32C-13价格：￥0.5725品牌：Diodes
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MJD32CTF资讯
MJD32CT4 TO252 100V3A NPN 晶体管 ON安森美 MOS管
MJD32CT4NPN100V3A晶体管ON安森美TO252
MJD32CTF中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD32C功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C1功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C-13功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MJD32CT4功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4-A功能描述:两极晶体管 - BJT LO PWR PNP PW TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4G功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
MJD32C
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS PNP 100V 3A DPAK
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
3A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
15W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-217
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
3
- wtest：
15
