| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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ONTO-252 |
3500 |
25+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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4年
留言
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CJTO252 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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ON(安森美)贴片三极管 MJD32C |
7987000 |
25+ |
原厂直接发货进口原装 |
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13年
留言
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CJTO252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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ONTO-252 |
8700 |
26+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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4年
留言
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CJ/长晶TO-252 |
45000 |
24+ |
只做全新原装进口现货 |
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1年
留言
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CJTO252 |
6000 |
25+ |
原盘清仓价只做全新原厂原装现货 |
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9年
留言
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ON(安森美) |
5000 |
26+ |
原厂支持短期订货优势.欢迎询价 |
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4年
留言
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ON/安森美TO-252 |
2000 |
25 |
原装正品 |
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ONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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7年
留言
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ON(安森美)TO-252-2(DPAK) |
10548 |
26+ |
原厂订货渠道,支持账期,一站式服务! |
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4年
留言
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ONSOT-252 |
8500 |
24+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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12年
留言
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ON(安森美)TO-252-2(DPAK) |
11224 |
26+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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6年
留言
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ST/意法TO-252 |
1866 |
04+ |
原装进口无铅现货 |
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5年
留言
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DIODESTO-252 |
36000 |
23+ |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
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12年
留言
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ONDPAK-3 |
9485 |
2450+ |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
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6年
留言
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ON Semiconductor CorporationSMD |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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8年
留言
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Nexperia(安世)N/A |
18798 |
25+ |
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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13年
留言
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ST/意法TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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11年
留言
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ON/安森美DPAK-3 |
20000 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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MJD32C图片
MJD32C-13价格
MJD32C-13价格:¥0.5725品牌:Diodes
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MJD32CT4G资讯
MJD32CT4 TO252 100V3A NPN 晶体管 ON安森美 MOS管
MJD32CT4 NPN 100V3A 晶体管 ON安森美 TO252
MJD32CT4G中文资料Alldatasheet PDF
更多MJD32C功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C1功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C-13功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MJD32CG功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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MJD32CRLG功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4-A功能描述:两极晶体管 - BJT LO PWR PNP PW TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CT4G功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
MJD32C
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.2V @ 375mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 3A,4V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS PNP 100V 3A DPAK
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
3A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
15W
- 放大倍数:
- 图片代号:
G-217
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
3
- wtest:
15





























