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深圳市卓越微芯电子有限公司

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MJD32CT4

ONTO-252

3500

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市科恒伟业电子有限公司

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MJD32C

CJTO252

8575

2550+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司

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12年 留言

MJD32C

ON(安森美)贴片三极管 MJD32C

7987000

25+

原厂直接发货进口原装

深圳市科恒伟业电子有限公司

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MJD32C

CJTO252

9850

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市欧立现代科技有限公司

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MJD32C

ONTO-252

8700

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绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市云美电子科技有限公司

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MJD32C

CJ/长晶TO-252

45000

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只做全新原装进口现货

深圳市钰川电子有限公司

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MJD32C

CJTO252

6000

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原盘清仓价只做全新原厂原装现货

北京三盛恒业电子有限公司

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9年 留言
MJD32CT4G

ON(安森美)

5000

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原厂支持短期订货优势.欢迎询价

深圳市力仕科电子科技有限公司

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MJD32CT4G

ON/安森美TO-252

2000

25

原装正品

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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3年 留言
MJD32CT4G

ONN/A

70000

2025+

柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市高捷芯城科技有限公司

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ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

10548

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原厂订货渠道,支持账期,一站式服务!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ONSOT-252

8500

24+

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市芯球通科技有限公司

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ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

11224

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公司只做原装正品,假一赔十

深圳市星宇佳科技有限公司

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ST/意法TO-252

1866

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原装进口无铅现货

深圳市英博尔电子有限公司

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DIODESTO-252

36000

23+

英博尔原装优质现货订货渠道商

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ONDPAK-3

9485

2450+

只做原厂原装正品终端客户免费申请样品

深圳市明嘉莱科技有限公司

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ON Semiconductor CorporationSMD

918000

25+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Nexperia(安世)N/A

18798

25+

原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ST/意法TO-252

9850

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市恒凯威科技开发有限公司

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ON/安森美DPAK-3

20000

21+

只做原装,质量保证

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MJD32C-13价格

MJD32C-13价格:¥0.5725品牌:Diodes

生产厂家品牌为Diodes的MJD32C-13多少钱,想知道MJD32C-13价格是多少?参考价:¥0.5725。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,MJD32C-13批发价格及采购报价,MJD32C-13销售排行榜及行情走势,MJD32C-13报价。

MJD32CT4G资讯

MJD32CT4 TO252 100V3A NPN 晶体管 ON安森美 MOS管

MJD32CT4 NPN 100V3A 晶体管 ON安森美 TO252

MJD32CT4G中文资料Alldatasheet PDF

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MJD32C功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD32C1功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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MJD32C1G功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD32CG功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD32CRL功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

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MJD32CT4功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD32CT4-A功能描述:两极晶体管 - BJT LO PWR PNP PW TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD32CT4G功能描述:两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号:

    MJD32C

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 375mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 3A,4V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A DPAK

晶体管资料

  • 型号:

    MJD32C

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    15W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    15