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MJD32CUQ-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD32CUQ-13
厂商型号

MJD32CUQ-13

参数属性

MJD32CUQ-13 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 3A TO252

功能描述

100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

丝印标识

MJD32CU

封装外壳

TO-252 / TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

384.05 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-3 10:50:00

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MJD32CUQ-13规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

特性 Features

• BVCEO > -100V

• IC = -3A High Continuous Collector Current

• ICM = -5A Peak Pulse Current

• Ideal for Power Switching or Amplification Applications

• Complementary NPN Type: MJD31CUQ

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

产品属性

  • 产品编号:

    MJD32CUQ-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 375mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 1A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    3MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    TO-252,(D-Pak)

  • 描述:

    TRANS PNP 100V 3A TO252

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