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MJD32CQ	文件：315.53 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -100V • IC = -3A high Continuous Collector Current • ICM = -5A Peak Pulse Current • Ideal for Power Switching or Amplification Applications • Comp 文件：315.53 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ	文件：433.13 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：433.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ-13	文件：315.53 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252 Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. Features • BVCEO > -100V • IC = -3A high Continuous Collector Current • ICM = -5A Peak Pulse Current • Ideal for Power Switching or Amplification Applications • Comp 文件：315.53 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ_15	文件：315.53 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252 文件：315.53 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ_16	文件：433.13 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：433.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ-13	文件：433.13 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MJD32C；Package：TO-252；100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：433.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率三极管	YJ 益嘉源	YJ
MJD32CQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor Automotive ‘Q‘ Portfolio	Diodes 美台半导体	Diodes
MJD32CQ-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 3A TO252-3	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
PNP
IC：
3 A
ICM：
5 A
PD：
2.1 W
hFE：
25 Min
hFE (@ IC)：
1 A
hFE (Min 2)：
10
hFE (@ IC2)：
3 A
VCE (SAT) Max：
1200 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
N/A
VCE (SAT) (Max.2)：
N/A mV
fT：
N/A MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
TO252 (DPAK)

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更多MJD32CQ供应商更新时间2025-10-7 11:01:00

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