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CJ/长电TO-252

12000

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深圳市讯顺达科技有限公司

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TO-252/220CJ

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全新原装公司现货

深圳市创新迹电子有限公司

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CJ/长电TO-252

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MJD41C

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ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

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MJD41CT4G

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ONN/A

70000

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深圳市力仕科电子科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-252-2

334

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ONDPAK

21935

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ONDPAK

7287

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MJD41CT4G

ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

9888

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深圳市天芯威科技有限公司

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MJD41CT4G

ON/安森美

25850

23+

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MJD41CT4G

ONSEMIDPAK

9000

2021+

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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MJD41CT4G

ON/安森美TO252

58497

24+

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深圳市海天鸿电子科技有限公司

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MJD41CT4G

ONDPAK3

5000

2320+

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深圳市龙瀚电子有限公司

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MJD41CT4G

ONDPAK

78000

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现代芯城（深圳）科技有限公司

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MJD41C

N/A

56000

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深圳诚思涵科技有限公司

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MJD41C

ONTO-252

85600

18+

保证进口原装可开17%增值税发票

深圳市河锋鑫科技有限公司

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MJD41C

ON/安森美DPAK-4

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2022+

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MJD41C

ONTO252

1687

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MJD41C

长晶TO-252

37500

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MJD41CTF价格

MJD41CTF价格：￥1.2859品牌：Fairchild

生产厂家品牌为Fairchild的MJD41CTF多少钱，想知道MJD41CTF价格是多少？参考价：￥1.2859。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MJD41CTF批发价格及采购报价，MJD41CTF销售排行榜及行情走势，MJD41CTF报价。

MJD41C资讯

MJD41CG

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

MJD41C中文资料Alldatasheet PDF

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MJD41C制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors

MJD41C_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors

MJD41C_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors

MJD41C-1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

MJD41CNPN制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves

MJD41CRL功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD41CRLG功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD41CT4功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD41CT4G功能描述:两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD41CTF功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

晶体管资料

  • 型号：

    MJD41C

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封装形式：

    贴片封装

  • 极限工作电压：

  • 最大电流允许值：

    6A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    6

  • wtest：

    20

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