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MJD200T4

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS MJD200 NPN MJD210 PNP NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications . . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications. • Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

文件:236.97 Kbytes 页数:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

MJD200T4

Complementary Plastic Power Transistors

文件:87.9 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件:87.9 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件:138.05 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4G

Complementary Plastic Power Transistors

文件:152.01 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD200T4G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 25V 5A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJD200T4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 50mA,500mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    65MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PWR NPN 5A 25V DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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DPAK
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更多MJD200T4供应商 更新时间2026-1-17 9:38:00