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MJD2955T4G	文件：184.12 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955T4G	文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955T4G	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955T4G	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 10A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955T4	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD2955T4G	文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD2955T4G	文件：184.12 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955T4	文件：64.879 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955T4G	文件：64.879 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955T4G	文件：985.58 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD2955T4G	文件：88.01 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955T4G	文件：119.07 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955T4G	文件：112.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET??0V,??2A,P?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD2955T4G	文件：912.3 Kbytes Page：4 Pages	P-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
NVD2955T4G	文件：112.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET??0V,??2A,P?묬hannelDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD2955T4G	文件：987.83 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NVD2955T4G	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P?묬hannelDPAK PowerMOSFET−60V,−12A,P−ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow−voltage,high−speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MJD2955T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 60V 10A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MJD2955T4G	onsemi	23+	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	MJD2955T4G	ON		SOT252	30216	提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	MJD2955T4G	ON	23+	DPAK	56000		询价
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	MJD2955T4G	ON	1445+	公司现货	69000		询价

更多MJD2955T4G供应商更新时间2024-4-29 14:14:00

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