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MJD32C1G	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NA32C1	文件：40.93 Kbytes Page：1 Pages	2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal 文件：40.93 Kbytes 页数：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
NA32C1	文件：46.28 Kbytes Page：1 Pages	2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal 文件：46.28 Kbytes 页数：1 Pages	CALIBER	CALIBER
NB32C1	文件：40.93 Kbytes Page：1 Pages	2.0mm 4 Pin Ceramic Surface Mount Crystal 文件：40.93 Kbytes 页数：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
MJD32C1G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 3A 100V 15W PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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