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MJD2955	文件：183.78 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •ExcellentSafeOperatingArea •Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.1V(Max)@IC=-4A •ComplementtoTypeMJD3055 •DPAKforSurfaceMountApplications •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICA	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD2955	文件：343.63 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeed SwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJD3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD2955	文件：147.11 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •Strai	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955	文件：91.77 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJD2955	文件：43.52 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount Applications GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications •LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) •StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) •ElectricallySimilartoPopularMJE2955T •DCCurrentGainSpecifiedto10A •HighCurrentG	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD2955	文件：62.38 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES ●DesignedforGeneralPurposeAmplifierandLowSpeed SwitchingApplications ●ElectricallySimiartoMJD3055 ●DCCurrentGainSpecifiedto10Amperes	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD2955	文件：49 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Amplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJD2955	文件：138.37 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD2955	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJD2955
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 60V 10A DPAK

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更多MJD2955供应商更新时间2025-7-22 20:25:00

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