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MJD2955G	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications 文件：78.33 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD2955G	文件：123.1 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors 文件：123.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD2955T4	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications 文件：78.33 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD2955T4G	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications 文件：78.33 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MJD2955
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
0
htest：
4000100
atest：
10
wtest：
20

产品属性

产品编号：
MJD2955
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
8V @ 3.3A，10A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 4A，4V
频率 - 跃迁：
2MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 60V 10A DPAK

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