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MJD2955-1G

Complementary Power Transistors

Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suff

文件:184.12 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD2955-1G

Complementary Power Transistors

文件:138.37 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD2955-1G

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:托盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP 60V 10A IPAK

ONSEMI

安森美半导体

NTD2955-1

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:280.24 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTD2955-1G

Power MOSFET ??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK

文件:112.72 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD2955-1G

Power MOSFET

文件:88.01 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJD2955-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    8V @ 3.3A,10A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    2MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 10A IPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
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DPAK3(SINGLEGAUGE
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ON Semiconductor
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更多MJD2955-1G供应商 更新时间2025-10-7 15:30:00