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| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NTD2955-1G | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
NTD2955-1G | Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
NTD2955-1G | Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
NTD2955-1G | Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
NTD2955-1G | Power MOSFET ??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
ComplementaryPowerTransistors | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | ||
ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |
详细参数
- 型号：
NTD2955-1G
- 功能描述：
MOSFET -60V -12A P-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
TO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
ON |
22+ |
TO-251 |
147 |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
17+ |
DPAK3(SINGLEGAUGE) |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
N/A |
589610 |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-251 |
7845 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON |
08+(pbfree) |
DPAK3(SINGLEGAUGE |
8866 |
询价 | |||
ON |
11+ |
60 |
询价 | ||||
ON |
2017+ |
TO-252 |
25899 |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
询价 | ||
ON |
23+ |
DPAK-3 |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
O |
2022+ |
IPAK |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 |
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