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NTD2955-1G	文件：939.04 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switch 文件：939.04 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTD2955-1G	文件：64.879 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：64.879 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTD2955-1G
功能描述：
MOSFET -60V -12A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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