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NTD4969N-35G

Power MOSFET 30 V, 41 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK CPU Power Delivery

文件:124.28 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD4969N-35G

Power MOSFET

文件:87.95 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD4969N-35G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:959.94 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTD5802NT4G

TO-252-3

ON

NTD5867NLT4G

TO-252

ON安森美

详细参数

  • 型号:

    NTD4969N-35G

  • 功能描述:

    MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 mOhm NCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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