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NTD5806NT4G

Power MOSFET 40 V, 33 A, Single N?묬hannel, DPAK/IPAK

文件:140.45 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5806NT4G

Power MOSFET

文件:84.83 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5806NT4G

N-Channel 4 0-V (D-S) MOSFET

文件:1.00001 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NVD5806NT4G

Power MOSFET

文件:84.83 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SVD5806NT4G

Power MOSFET

文件:84.83 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD5806NT4G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET DPAK 40V 33A 19mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTD5806NT4G供应商 更新时间2026-1-28 23:00:00