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NTD5865NLT4G

丝印:5865NLG;Package:TO-252;60V N -Channel MOSFET

Features Low Gate Charge Fast Switching High Current Capability • VDS(V) = 60V ID =46A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:452.59 Kbytes 页数:6 Pages

UMW

友台半导体

NTD5865NLT4G

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件:1.09332 Mbytes 页数:4 Pages

BYCHIP

百域芯

NTD5865NLT4G

N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 m廓

文件:275.43 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5865NLT4G

N-Channel Power MOSFET

文件:108.19 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTD5865NLT4G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:988.17 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号:

    NTD5865NLT4G

  • 功能描述:

    MOSFET Single N-CH 60V 40A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTD5865NLT4G供应商 更新时间2026-1-31 17:25:00