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NTDV20P06LT4G	文件：156.59 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK 文件：156.59 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTDV20P06LT4G	文件：119.94 Kbytes Page：7 Pages	丝印：T20P06LG；Package：TO-252；Power MOSFET ??0 V, ??5.5 A, Single P?묬hannel, DPAK 文件：119.94 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTDV20P06LT4G	文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages	丝印：T20P06LG；Package：TO-252；Power MOSFET 文件：93.13 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTDV20P06LT4G	文件：987.87 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：987.87 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTDV20P06LT4G-VF01	文件：93.13 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 文件：93.13 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NTDV20P06LT4G
功能描述：
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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