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NTD4909N-35G	文件：118.29 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：118.29 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTD4909N-35G	文件：959.94 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.94 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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NTD5867NLT4G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	ON安森美上传：深圳市宝芯创电子有限公司	ON安森美

详细参数

型号：
NTD4909N-35G
功能描述：
MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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