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NTD2955T4G	文件：985.58 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
NTD2955T4G	文件：912.3 Kbytes Page：4 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO,. LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司
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NTD2955T4G	文件：112.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??2 A, P?묬hannel DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MJD2955T4	文件：78.33 Kbytes Page：6 Pages	ComplementaryPowerTransistorsDPAKForSurfaceMountApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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MJD2955T4G	文件：184.12 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryPowerTransistors ComplementaryPowerTransistors DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−1”Suff	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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NVD2955T4G	文件：124.5 Kbytes Page：8 Pages	??0V,??2A,P?묬hannelDPAK PowerMOSFET−60V,−12A,P−ChannelDPAK ThisPowerMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Designedforlow−voltage,high−speedswitchingapplicationsinpowersupplies,converters,andpowermotorcontrols.Thesedevicesareparticularlywellsuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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NVD2955T4G	文件：987.83 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
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详细参数

型号：
NTD2955T4G
功能描述：
MOSFET -60V -12A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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