MJD2955分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MJD2955 |
参数属性 | MJD2955 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 10A DPAK |
功能描述 | Complementary Power Transistors |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
147.11 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-19 23:32:00 |
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MJD2955规格书详情
MJD2955属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的MJD2955晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
MJD2955 (PNP)
MJD3055 (NPN)
SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 60 VOLTS, 20 WATTS
DPAK For Surface Mount Applications
Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.
特性 Features
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)
• Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055
• DC Current Gain Specified to 10 Amperes
• High Current Gain−Bandwidth Product − fT = 2.0 MHz (Min) @ IC
= 500 mAdc
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V
Machine Model, C 400 V
• Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号:
MJD2955
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
8V @ 3.3A,10A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
50µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 4A,4V
- 频率 - 跃迁:
2MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS PNP 60V 10A DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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TO252 |
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