MJD253T4分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJD253T4 |
| 参数属性 | MJD253T4 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为剪切带（CT）；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK |
| 功能描述 | Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications |
| 文件大小 |
98.46 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-21 8:48:00 |
MJD253T4规格书详情
MJD253T4属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJD253T4晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
MJD253T4
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 50mA，500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 200mA，1V
- 频率 - 跃迁：
40MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAXIN |
2021++ |
QSOP-16 |
8000 |
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ONS |
2105+ |
DPAK |
30000 |
原装正品 |
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ONS |
2020+ |
DPAK |
16800 |
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ON/安森美 |
22+ |
TO-252 |
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