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MJD112T4	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112T4	文件：388.17 Kbytes Page：10 Pages	Complementary power Darlington transistors	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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MJD112-1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112RL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MJD112
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
2
wtest：
20

详细参数

型号：
MJD112
功能描述：
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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