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NK/南科功率TO-252

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国产南科

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市创新迹电子有限公司

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CJ/长电TO-252

9000

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MJD112T4GMJD117T4G

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NK/南科功率TO252

36520

9420
1+
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国产南科平替供应大量

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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MJD112T4G

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2025+

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MJD112TF_NL

ONSEMIN/A

22412

25+

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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MJD112T4

ST/意法TO-252

9850

2450+

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深圳市讯顺达科技有限公司

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ONTO252

1472

21+

全新原装公司现货

深圳市芯皇电子有限公司

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MJD112T4G

ON(安森美)21+

10000

TO-252

原装现货支持实单

深圳市高捷芯城科技有限公司

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MJD112T4G

ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

21000

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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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MJD112T4

ST/意法半导体TO-252

4650

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绝对原装公司现货

深圳市天芯威科技有限公司

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MJD112T4G

ON/安森美

25900

24+

新到现货,只有原装

深圳市得捷芯城科技有限公司

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MJD112T4G

ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

21000

25+

原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

海芯未来半导体电子（深圳）有限公司

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MJD112T4G

ONDPAK

14950

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深圳市芯球通科技有限公司

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MJD112T4G

ON(安森美)TO-252-2(DPAK)

11161

23+

公司只做原装正品,假一赔十

深圳市东来宝电子科技有限公司

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MJD112T4G

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97500

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MJD112T4G价格

MJD112T4G价格：￥1.0701品牌：ON

生产厂家品牌为ON的MJD112T4G多少钱，想知道MJD112T4G价格是多少？参考价：￥1.0701。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MJD112T4G批发价格及采购报价，MJD112T4G销售排行榜及行情走势，MJD112T4G报价。

MJD112T4G资讯

MJD112T4G

MMSZ4705T1G HMHA281R2 NTR4501NT1G MJD112T4G

MJD112

深圳市勤思达科技有限公司主营音响功放IC,现货库存供应MJD350 ,全新原装，公司大量现货库存供应。

MJD112T4G中文资料Alldatasheet PDF

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MJD112功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

MJD112_03制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

MJD112_06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Darlington Transistor

MJD112_10制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors

MJD112_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistors

MJD112-001功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

MJD1121制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

MJD112-1G功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

MJD112G功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

MJD112RL功能描述:达林顿晶体管 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

晶体管资料

  • 型号：

    MJD112

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Darl

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）

  • 封装形式：

    贴片封装

  • 极限工作电压：

  • 最大电流允许值：

    2A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

  • 最大耗散功率：

    20W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    G-217

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    2

  • wtest：

    20

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