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MJD112G	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Darlington Power Transistors Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves ( 文件：207.94 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD112G	文件：152.64 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers. Features • Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) • Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“− 文件：152.64 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD112G	文件：101.63 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistors 文件：101.63 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD112G	文件：144.73 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Darlington Power Transistors 文件：144.73 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD112G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJD112G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

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更多MJD112G供应商更新时间2025-10-7 8:12:00

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