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MJD127T4G

Complementary Darlington Power Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJD127T4G

Complementary Darlington Power Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJD127T4G

Complementary Darlington Power Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJD127T4G

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJD127T4

SILICONPOWERTRANSISTORS8AMPERES100VOLTS20WATT

Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“–1”Suffix) •LeadFormedVersionAvailablein16mmTapeandReel(“T4”Suffix) •Sur

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

MJD127T4

COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

MJD127T4

COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD122andMJD127formcomplementaryNPN-PNPpair.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPES ■LOWBASE-DRIVEREQUIREMENTS ■INTEGRATEDANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTERDIODE ■THROUGHHOLET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

MJD127T4

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MJD127T4

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NJVMJD127T4G

ComplementaryDarlingtonPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    MJD127T4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON
23+
TO-252
3400
原装正品,支持检测
询价
onsemi
23+
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
询价
Onsemi
22+
TO-252-2
8000
原装现货,有单必成
询价
ON
16+/17+
TO-252
3500
原装正品现货供应56
询价
ON
DPAK
137368
1835
只做原装正品,现货
询价
ON
23+
DPAK
56000
询价
ON
18+
TO-252
98500
全新原装现货/假一罚百!
询价
ONSemi
2146
DPAK
12544
全新原装公司现货
询价
ON
20+
SOT252
32010
全新原装,价格优势
询价
ON/安森美
22+
TO-252
2500
只做原装进口 免费送样!!
询价
更多MJD127T4G供应商 更新时间2024-4-29 15:27:00