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MJD127T4G中文资料达林顿管数据手册HXY MOSFET规格书

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厂商型号

MJD127T4G

参数属性

MJD127T4G 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK

功能描述

达林顿管

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

HXY MOSFET Shenzhen Huaxuanyang Electronics Co., Ltd.

中文名称

华轩阳电子 深圳市华轩阳电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 18:47:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD127T4G

  • 生产厂家

    :HXY MOSFET

  • supply voltage

    :100

  • Output Current

    :8

  • DC current gain

    :1000-12000

  • Collector-emitter saturation voltage

    :4

  • Collector Power Dissipation

    :1.5

  • Type

    :PNP

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