MJD127中文资料100V,8A,Medium Power PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
MJD127 |
| 参数属性 | MJD127 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK |
| 功能描述 | 100V,8A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 20:00:00 |
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技术参数
- 制造商编号
：MJD127
- 生产厂家
：Galaxy
- V(BR)CEO_Min_(V)
：100
- IC_(A)
：8
- hFE _Min
：1000
- hFE _Max
：12000
- VCE_(V)
：4
- IC_(mA)
：4000
- VCE(sat)(V)
：4
- IC_(mA)1
：8000
- IB_(mA)
：80
- PTM _Max_(W)
：1.5
- Package_Outlines
：TO-251/252
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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