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MJD122数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD122

参数属性

MJD122 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

功能描述

互补硅功率达林顿晶体管
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

原厂标识
ST
数据手册

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更新时间

2025-8-5 10:20:00

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MJD122规格书详情

描述 Description

The devices are manufactured in planar technology with \\\"base island\\\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage
• Integrated antiparallel collector-emitter diode

简介

MJD122属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD122晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD122

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :100

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :100

  • Collector Current_abs_max(A)

    :5

  • Dc Current Gain_min

    :1000

  • Dc Current Gain_max

    :12000

  • Test Condition for hFE (IC)

    :4

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :4

  • VCE(sat)_max(V)

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :4

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :16

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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19+
TO-252
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