MJD112中文资料100V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

厂商型号 |
MJD112 |
参数属性 | MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
功能描述 | 100V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
封装外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 12:38:00 |
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技术参数
- 制造商编号
:MJD112
- 生产厂家
:Galaxy
- V(BR)CEO_Min_(V)
:100
- IC_(A)
:2
- hFE _Min
:1000
- hFE _Max
:12000
- VCE_(V)
:3
- IC_(mA)
:2000
- VCE(sat)(V)
:3
- IC_(mA)1
:4000
- IB_(mA)
:40
- fT _Min _(MHz)
:25
- PTM _Max_(W)
:1.5
- Package_Outlines
:TO-251/252
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CJ |
23+ |
TO-252 |
30000 |
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询价 | ||
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25+ |
TO252 |
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TO252-2 |
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24+ |
TO252 |
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原厂原装 |
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CJ |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
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询价 |