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MJD112中文资料100V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

MJD112

参数属性

MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

功能描述

100V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:38:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD112

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • V(BR)CEO_Min_(V)

    :100

  • IC_(A)

    :2

  • hFE _Min

    :1000

  • hFE _Max

    :12000

  • VCE_(V)

    :3

  • IC_(mA)

    :2000

  • VCE(sat)(V)

    :3

  • IC_(mA)1

    :4000

  • IB_(mA)

    :40

  • fT _Min _(MHz)

    :25

  • PTM _Max_(W)

    :1.5

  • Package_Outlines

    :TO-251/252

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