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MJB44H11T4-A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJB44H11T4-A

参数属性

MJB44H11T4-A 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 10A D2PAK

功能描述

汽车级低压NPN功率晶体管
TRANS NPN 80V 10A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

原厂标识
ST
数据手册

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更新时间

2025-8-5 8:48:00

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MJB44H11T4-A规格书详情

描述 Description

This device is an NPN transistor manufactured using new low voltage planar technology with double metal process. The result is a transistor which boasts exceptionally high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Designed for automotive applications and AEC- Q101 qualified
• Low collector-emitter saturation voltage
• Fast switching speed

简介

MJB44H11T4-A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJB44H11T4-A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJB44H11T4-A

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :D2PAK

  • Grade

    :Automotive

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :80

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :80

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :80

  • Collector Current_max(A)

    :10

  • Collector Current_abs_max(A)

    :10

  • Dc Current Gain_min

    :40

  • Test Condition for hFE (IC)

    :4

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :1

  • VCE(sat)_max(V)

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :8

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :400

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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