MJD117中文资料100V,2A,Medium Power PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

厂商型号 |
MJD117 |
参数属性 | MJD117 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK |
功能描述 | 100V,2A,Medium Power PNP Bipolar Transistor |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 22:58:00 |
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技术参数
- 制造商编号
:MJD117
- 生产厂家
:Galaxy
- V(BR) CEO min (V)
:100
- IC (A)
:2
- hFEmin
:1000
- hFEmax
:12000
- @_VCE (V)
:3
- VCE (sat) (V)
:3
- @_IC (mA)
:4000
- @_IB (mA)
:40
- fT (MHz) min.
:25
- PD (W) max.
:1.5
- Package Outlines
:TO-251/252
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
2016+ |
TO-252 |
3900 |
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询价 | ||
CJ/长晶 |
25+ |
TO-251 |
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CJ/长电 |
24+ |
NA/ |
45000 |
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MOT |
98+ |
TO252/2.5 |
2550 |
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24+ |
TO251 |
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ON |
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询价 | |||
25+ |
TO-252 |
18000 |
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CJ |
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TO252 |
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TO252 |
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