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MJD117中文资料100V,2A,Medium Power PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

MJD117

参数属性

MJD117 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

功能描述

100V,2A,Medium Power PNP Bipolar Transistor

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 22:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MJD117

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • V(BR) CEO min (V)

    :100

  • IC (A)

    :2

  • hFEmin

    :1000

  • hFEmax

    :12000

  • @_VCE (V)

    :3

  • VCE (sat) (V)

    :3

  • @_IC (mA)

    :4000

  • @_IB (mA)

    :40

  • fT (MHz) min.

    :25

  • PD (W) max.

    :1.5

  • Package Outlines

    :TO-251/252

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