首页>MJD112>规格书详情

MJD112数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

MJD112

参数属性

MJD112 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

功能描述

互补硅功率达林顿晶体管
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-5 23:01:00

人工找货

MJD112价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MJD112规格书详情

描述 Description

The devices are manufactured in planar technology with \\\"base island\\\" layout and monolithic Darlington configuration.

特性 Features

• Good hFE linearity
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
• High fT frequency

简介

MJD112属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD112晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MJD112

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :100

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :100

  • Collector Current_abs_max(A)

    :2

  • Dc Current Gain_min

    :1000

  • Dc Current Gain_max

    :12000

  • Test Condition for hFE (IC)

    :2

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :3

  • VCE(sat)_max(V)

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
42
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
CJ/长电
25+
TO-251-3L
20300
CJ/长电原装特价MJD112即刻询购立享优惠#长期有货
询价
FSC
2016+
TO-252
6000
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
询价
MOTOROLA/摩托罗拉
25+
TO252
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
CJ/长晶
2511
TO-252
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
TO252
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON
24+/25+
92
原装正品现货库存价优
询价
CJ
13+18+
TO-252
6840
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
FSC/ON
23+
原包装原封 □□
11555
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
询价