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MJD112数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

MJD112

参数属性

MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

功能描述

Darlington transistor, DPAK, 100V, 2A

封装外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

制造商

KEC KEC CORPORATION

中文名称

KEC株式会社

原厂标识
数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-5 23:01:00

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MJD112规格书详情

特性 Features

• High DC Current Gain. : hFE=1000(min.), @VCE=4V, Ic=1A
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• Straight Lead (IPAK, \"L\" Suffix)
• Complementary to MJD117/L.

应用 Application

• Consumer - Home Appliance and Audio System

技术参数

  • 制造商编号

    :MJD112

  • 生产厂家

    :KEC

  • AEC-Q

    :N

  • Package

    :DPAK

  • Polarity

    :NPN

  • VCEO[V]

    :100

  • IC[A]

    :2

  • PC[W]

    :1

  • hFE_Min

    :1000

  • VCE(SAT)_MAX[V]

    :2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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