MJD122T4数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
MJD122T4 |
参数属性 | MJD122T4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
功能描述 | Low voltage NPN power Darlington transistor |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 13:30:00 |
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MJD122T4规格书详情
描述 Description
These devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
简介
MJD122T4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的MJD122T4晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
MJD122T4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
剪切带(CT)带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
4V @ 80mA,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 4A,4V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
DPAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
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DPAK |
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ST(意法) |
24+ |
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ST |
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TO252 |
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