MJD122T4中文资料Low voltage NPN power Darlington transistor数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
MJD122T4 |
| 参数属性 | MJD122T4 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK |
| 功能描述 | Low voltage NPN power Darlington transistor |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 18:11:00 |
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MJD122T4规格书详情
描述 Description
These devices are manufactured in planar technology with “base island” layout and monolithic Darlington configuration.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage
• Monolithic Darlington configuration with integrated antiparallel collector-emitter diode
简介
MJD122T4属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的MJD122T4晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
MJD122T4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
4V @ 80mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 4A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
DPAK
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
13+ |
TO-252 |
600 |
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询价 | ||
STM |
24+/25+ |
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原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
DPAK |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-252 |
16900 |
原装，正品 |
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TO-252 |
3525 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO252 |
30000 |
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ST/意法 |
25+ |
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ST/意法半导体 |
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