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MJD148T4G	文件：115.31 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Power Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD148T4G	文件：91.63 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon Power Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD148T4G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 4A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MJD148T4	文件：69.4 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconPowerTransistor NPNSiliconPowerTransistor DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features •HighGain−50Min@IC=2.0A •LowSaturationVoltage−0.5V@IC=2.0A •HighCurrentGain−BandwidthProduct−fT=3.0MHzMin@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVMJD148T4G	文件：91.63 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MJD148T4G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
85 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
3MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS NPN 45V 4A DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明盛嘉电子科技有限公司	MJD148T4G	ON/安森美	21+	TO252	50000	原装现货/假一赔十/支持第三方检验	询价
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更多MJD148T4G供应商更新时间2024-4-29 17:00:00

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