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深圳市力仕科电子科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-252-2

2366

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QQ询价 绝对原装正品

深圳市科恒伟业电子有限公司

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ON/安森美TO-252

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市赛尔通科技有限公司

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ONDPAK

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ONSEMIN/A

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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ONSEMIN/A

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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SOP

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深圳市芯皇电子有限公司

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ONTO-220-3

50000

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原装正品假一罚十,代理渠道价格优

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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ONSOT252

2987

25+

只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电!

深圳市盈慧通电子有限公司

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ONSEMI/安森美TO-252

360000

2511

电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市英科美电子有限公司

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ON/安森美TO-252

26800

2223+

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

深圳市英科美电子有限公司

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ON/安森美TO-252

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只做原装正品,为客户做到零风险

深圳市胜彬电子有限公司

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MJD200

ONSOT252

3000

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原装正品,支持实单

洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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ONFAISOT-223

86720

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全新原装正品价格最实惠 承诺假一赔百

深圳市壹芯创科技有限公司

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ONSOT252

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进口原装

深圳市东来宝电子科技有限公司

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MOTOROLA/摩托罗拉TO-252

22055

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郑重承诺只做原装进口现货

上海金庆电子技术有限公司

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MJD200

MOTOROLATO252

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全新 发货1-2天

深圳市一线半导体有限公司

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MJD200

5000

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公司存货

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MJD200

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24190

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原装正品代理渠道价格优势

深圳市一线半导体有限公司

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MJD200

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MJD200G价格：￥1.0230品牌：ON

生产厂家品牌为ON的MJD200G多少钱，想知道MJD200G价格是多少？参考价：￥1.0230。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，MJD200G批发价格及采购报价，MJD200G销售排行榜及行情走势，MJD200G报价。

MJD200中文资料Alldatasheet PDF

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MJD200功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD200_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors

MJD200_11制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Plastic Power Transistors

MJD200-1制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

MJD200G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD200RL功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD200RLG功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD200T4功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD200T4G功能描述:两极晶体管 - BJT 5A 25V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

MJD200T5G功能描述:两极晶体管 - BJT BIP DPAK 5A 25V TR NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    MJD200

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    托盘

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1.8V @ 1A，5A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    45 @ 2A，1V

  • 频率 - 跃迁：

    65MHz

  • 工作温度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

  • 供应商器件封装：

    DPAK

  • 描述：

    TRANS NPN 25V 5A DPAK

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