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MJD200分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD200
厂商型号

MJD200

参数属性

MJD200 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 25V 5A DPAK

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

236.97 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

MOTOROLA摩托罗拉

中文名称

加尔文制造公司官网

原厂标识
MOTOROLA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 12:22:00

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MJD200规格书详情

SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS

MJD200 NPN

MJD210 PNP

NPN/PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications

. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.

• Collector–Emitter Sustaining Voltage —VCEO(sus)= 25 Vdc (Min) @ IC= 10 mAdc

• High DC Current Gain — hFE= 70 (Min) @ IC= 500 mAdc

= 45 (Min) @ IC= 2 Adc

= 10 (Min) @ IC= 5 Adc

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

• Low Collector–Emitter Saturation Voltage —VCE(sat)= 0.3 Vdc (Max) @ IC= 500 mAdc

= 0.75 Vdc (Max) @ IC= 2.0 Adc

• HighCurrent–Gain — Bandwidth Product — fT= 65 MHz (Min) @ IC= 100 mAdc

• Annular Construction for Low Leakage — ICBO= 100 nAdc @ Rated VCB

产品属性

  • 产品编号:

    MJD200

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.8V @ 1A,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    65MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 5A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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