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MJD18002D2分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD18002D2
厂商型号

MJD18002D2

参数属性

MJD18002D2 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 2A DPAK

功能描述

POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor
TRANS NPN 450V 2A DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

129.06 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 10:06:00

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MJD18002D2规格书详情

MJD18002D2属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJD18002D2晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Bipolar NPN Transistor

High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−In Efficient Antisaturation Network

The MJD18002D2 is a state−of−the−art high speed, high gain bipolar transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no longer a need to guarantee an hFE window.

特性 Features

• Low Base Drive Requirement

• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA

• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread

• Integrated Collector−Emitter Free Wheeling Diode

• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCEsat

• Characteristics Make It Suitable for PFC Application

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V

Machine Model, C > 400 V

• Six Sigma® Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads

• Pb−Free Package is Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MJD18002D2T4G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 200mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    6 @ 1A,1V

  • 频率 - 跃迁:

    13MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN 450V 2A DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
2511
TO-252-3
360000
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