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MJD122G

Complementary Darlington Power Transistor

文件:87.53 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD122G

Complementary Darlington Power Transistor

文件:136.31 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MJD122G

Complementary Darlington Power Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

MJD122G

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MJD122G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多MJD122G供应商 更新时间2025-12-8 14:36:00