型号：MJD112
制造商：ON Semiconductor
厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
描述：Complementary Darlington Power Transistors
产品种类：Transistors Darlington
配置：Single
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—基极电压 VCBO：100 V
最大直流电集电极电流：2 A
最大集电极截止电流：20 uA
功率耗散：20 W
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：TO-252-3 (DPAK)
封装：Tube
集电极连续电流：2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：200, 500, 1000
最小工作温度：- 65 C
工厂包装数量：75
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营音响功放IC,现货库存供应MJD350 ,全新原装，公司大量现货库存供应。
MJD112 （ NPN ）
MJD117 （ PNP ）
MJD112 应用：
专为通用电源和开关如输出或驱动器级中的应用，如开关稳压器，转换器，和功率放大器。
MJD112 特点：
•无铅包可用
•铅形成在塑料套管表面贴装应用（没有后缀）
•直引线型的塑料套管（ “-1”后缀）
•铅16毫米磁带和卷轴形成版本（ “ T4 ”和“ RL ”后缀）
•电类似于热门TIP31和TIP32系列
