内存涨价趋势预计仍将持续。面对价格上行的市场预期，各大存储厂商正积极扩大备货规模。据韩国《朝鲜日报》引用Omdia报告，三星电子今年DRAM产量预计较去年提升约5%，SK海力士DRAM产量预计增长约8%，以缓解供应紧张局面。然而，尽管部分生产线已满负荷运转，市场需求的缺口依然难以完全填补。
在全球产能紧缺、价格持续走高的背景下，中国作为全球最主要的DRAM消费市场之一，建立自主可控的存储产业链已成为关乎产业安全与发展的重要议题。然而，DRAM行业壁垒高筑，全球范围内具备竞争力的企业屈指可数。目前，长鑫科技是国内市场上唯一能在全球DRAM竞争中与国际巨头抗衡的企业。其技术进展、产能提升以及上市步伐，也因此成为观察中国存储产业自主化进程的重要风向标。
“从零到一” 长鑫科技十年攻坚打破国际垄断
2025年12月30日，长鑫科技以“预先审阅制”率先公开其上市申报及问询内容。作为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，该公司已成功实现从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等主流DRAM产品的全面升级与覆盖，产品广泛服务于服务器、移动终端、个人电脑、智能汽车等重要领域。在不足十年间，长鑫科技突破三星、SK海力士、美光对全球DRAM市场的长期垄断，2025年第二季度以3.97%的全球市场份额位列全球第四、国内第一，成为国产DRAM产业的关键支撑。
特别引人注目的是，长鑫科技最新推出的DDR5产品在性能上已跻身国际前列，成为攻克国外技术壁垒的重要成果。其DDR5产品最高速率突破8000Mbps，单颗粒容量涵盖24Gb，并针对服务器、工作站及个人电脑推出七大模组系列。在当前AI服务器需求快速增长的环境下，DDR5使用量达到传统服务器的8倍，长鑫科技DDR5的技术进展将有力帮助国内产业链应对因DDR5等产品价格上涨带来的供应波动。
除了在标准内存领域取得进展，长鑫科技在移动存储方面也快速推进。其LPDDR5X产品速率达到10667Mbps，较前代提升66%，功耗降低30%，契合高端智能手机、平板等移动设备对高速、低能耗的要求。该速率已与SK海力士于去年10月量产的同规格产品持平，长鑫科技仅用一年便在此速率层级实现技术突破，在“高频低耗”的市场趋势中占据领先。这一“双芯”进展为国产产业链构建了自主可控的技术根基。
产能利用率持续提升，长鑫科技迎来盈利转折点
产能规模是供应链稳定的重要保障。长鑫科技在合肥、北京运营三座12英寸DRAM晶圆厂，建立了规模化的生产基础。根据招股书，2022年至2025年上半年，公司产能利用率从85.45%逐步提高至94.63%。这不仅助力其扩大市场份额，也有助于缓解国内DRAM市场供需紧张局面，提高国产存储自给率，为下游产业提供稳定的供应支持。
招股书显示，长鑫科技的客户涵盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等企业，在服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等多领域积累了丰富的优质客户。这既印证了其产品竞争力，也表明其成长轨迹与国产高端制造业的发展紧密相连，具备可持续的增长前景。
随着存储市场价格上涨及产能逐步释放，长鑫科技迎来盈利的关键转折：2025年1-9月，公司营业收入达320.84亿元，同比增幅接近100%。公司预计2025年全年净利润将达到20亿至35亿元，扣非归母净利润预计在28亿至30亿元之间，实现实质性盈利转变。招股书指出，若2026年市场价格维持在2025年9月水平，伴随产能稳步增加，长鑫科技有望保持稳定盈利，进入业绩释放的新阶段。
行业分析认为，国内存储产业正处于技术赶超的重要阶段。长鑫科技作为国内DRAM领域的领军企业，通过上市融资加快规模扩张与技术升级，有望形成“以一家上市龙头带动整个国产集群”的产业生态。其上市不仅将促进自身发展，也有望推动存储芯片设计、EDA工具、半导体材料、设备与零部件、模组制造及下游应用等产业链各环节协同发展，从而增强国内半导体产业链的整体实力。
面对全球DRAM供应紧张、价格居高不下的形势，长鑫科技的快速突破与上市推进，不仅是一家企业的重要进展，更是中国建设自主存储产业体系、缓解供应链波动、保障数字经济安全发展的关键举措。凭借技术、产能与盈利的全面突破，长鑫科技带领国产DRAM产业正式告别“打破垄断”阶段，迈入“规模盈利”的全新发展期，为我国提升全球半导体竞争力奠定了坚实基础。
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