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2EDN7533BXTSA1是英飞凌 EiceDRIVER™系列的双通道非隔离低边栅极驱动器,专为高速开关应用设计,适合驱动 GaN HEMT、MOSFET 与 IGBT

2026-1-17 9:03:00
  • 2EDN7533BXTSA1 PG-SOT23-6 封装,峰值驱动电流 ±5A,传播延迟典型值 19ns,具备精确时序与高鲁棒性,工业级标准,无铅无卤素,符合 RoHSInfineon T

2EDN7533BXTSA1是英飞凌 EiceDRIVER™系列的双通道非隔离低边栅极驱动器,专为高速开关应用设计,适合驱动 GaN HEMT、MOSFET 与 IGBT

一,核心参数

通道配置:双通道低边,独立输入 / 输出。

电源电压:VCC 4.2V~20V,欠压锁定(UVLO)开启 4.2V、关闭 3.9V(带滞回)。

驱动能力:源极 / 灌极峰值电流均为 ±5A,灌极输出电阻典型值 0.35Ω。

时序性能:传播延迟典型值 19ns,精度 + 6/-4ns;输出启动时间 1.8μs,关断时间 500ns。

保护特性:有源输出电压钳位、输入抗 - 12V 地偏移、5A 反向电流鲁棒性;ESD HBM 2kV、CDM 0.5k。

封装与包装:PG-SOT23-6;卷盘包装,最小订购量 3000 片,非干燥包装。

环境与认证:工作温度 - 40℃~125℃,工业级 JEDEC 认证,RoHS、无铅、无卤素。

二,典型应用

开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流、功率因数校正(PFC)、电机控制等对开关速度与时序精度要求高的场景。

三,选型提示

同系列替代:2EDN7534BXTSA1(输入配置不同);2EDN7523RXTMA1(UVLO 8V 版本)。

封装兼容:PG-SOT23-6 封装可直接替换同封装的低边驱动器,注意输入逻辑与 UVLO 匹配。

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