MJD112T4G
制造商: onsemi
产品种类: 达林顿晶体管
配置: Single
晶体管极性: NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO: 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 100 V
最大直流电集电极电流: 2 A
最大集电极截止电流: 20 uA
Pd-功率耗散: 20 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MJD112
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
来自 onsemi 的 MJD112T4G – 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 100 V 2 A 25MHz 20 W 表面贴装型 DPAK
