MJD112-1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MJD112-1G |
参数属性 | MJD112-1G 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
功能描述 | Complementary Darlington Power Transistors |
封装外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
文件大小 |
101.63 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | ON Semiconductor |
企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
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MJD112-1G规格书详情
MJD112-1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MJD112-1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
MJD112-1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 40mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 2A,3V
- 频率 - 跃迁:
25MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:
I-PAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
959 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
5000 |
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ON |
07+ |
TO-251 |
13 |
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ON/安森美 |
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TO-251 |
100000 |
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ON |
24+ |
DPAK INSERTION MOUNT |
25000 |
ON全系列可订货 |
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ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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ON Semiconductor |
2024 |
4601 |
全新、原装 |
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ON/安森美 |
24+ |
TSSOP |
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原装进口只做订货 寻找优势渠道合作 |
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ONSEMI/安森美 |
07+ |
TO-251 |
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原装进口无铅现货 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
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