MJD112技术资料参数供应价格ONSEMI第2页-114ic电子网

首页 >MJD112>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
MJD112	文件：277.58 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD112	文件：296.52 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·HighDCcurrentgain ·Leadformedforsurfacemountapplications ·Built-inadamperdiodeatE-C ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposeamplifier andlowspeedswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJD112	文件：152.64 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Darlington Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(“−	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112	文件：821.64 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features HighDCcurrentgain,built-inadamperdiodeatE-C,electricallysimilartopopularTIP112. Applications Mediumpowerswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MJD112	文件：543.92 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES •ComplementaryDarlingtonPowerTransistors DpakforSurfaceMountApplications	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJD112	文件：207.94 Kbytes Page：11 Pages	Complementary Darlington Power Transistors Designedforgeneralpurposepowerandswitchingsuchasoutputor driverstagesinapplicationssuchasswitchingregulators,converters, andpoweramplifiers. Features •LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves (NoSuffix) •StraightLeadVersioninPlasticSleeves(	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJD112	文件：204.34 Kbytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MJD112	文件：295.08 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planer Transistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MJD112	文件：1.54779 Mbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR (NPN)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MJD112	文件：384.71 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

<<<123 4 5 6 7 >>>

晶体管资料

型号：
MJD112
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-217
vtest：
0
htest：
999900
atest：
2
wtest：
20

详细参数

型号：
MJD112
功能描述：
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
瀚佳科技(深圳)有限公司	MJD112	ON	24+	TO-252-2	85600	全新原装现货/假一罚百!	询价
深圳市特瑞斯科技有限公司	MJD112	长电	23+	TO-252	750000	一级分销商	询价
深圳市科翼源电子有限公司	MJD112	CJ	23+	TO-252	7050	原厂原装正品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	MJD112	CJ/长电	2021+	TO-252	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	MJD112	ST/意法	24+	TO-252	504585	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市朱博士电子科技有限公司	MJD112	CJ(江苏长电/长晶)	24+	SOD-323	11368	原厂原标渠道现货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	MJD112	ON	23+	TO252	12335		询价
深圳市勤思达科技有限公司	MJD112		1415+	TO-252	28500	全新原装正品,优势热卖	询价
深圳市一线半导体有限公司	MJD112		24+	SOT252	1000		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	MJD112	ON	2016+	TO-252	6528	只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品!	询价

更多MJD112供应商更新时间2025-5-2 15:29:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263
Email：114ic＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号