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MJD112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

MJD112

厂商型号	MJD112
参数属性	MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
功能描述	Silicon NPN Power Transistor
封装外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
文件大小	277.58 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称	ISC【无锡固电】
中文名称	无锡固电半导体股份有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-26 11:04:00
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MJD112规格书详情

DESCRIPTION

·High DC current gain

·Lead formed for surface mount applications

·Built-in a damper diode at E-C

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Designed for general purpose amplifier

and low speed switching applications.

产品属性

产品编号：
MJD112-1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
I-PAK
描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

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