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MJE222	文件：73.87 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE220 series types are NPN silicon power transistors, manufactured by the epitaxial-base process, designed for general purpose amplifier and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：73.87 Kbytes 页数：1 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE222	文件：345.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTOR 文件：345.72 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
MJE222	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 40V 4A 3-Pin TO-126	NJS 新泽西半导体	NJS
NTE222	文件：24.55 Kbytes Page：2 Pages	Field Effect Transistor Dual Gate N-Channel MOSFET Field Effect Transistor Dual Gate N–Channel MOSFET 文件：24.55 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
PHP222	文件：54.63 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-channel enhancement mode MOS transistor DESCRIPTION Two P-channel enhancement mode MOS transistors in an 8-pin SOT96-1 (SO8) SMD plastic package. FEATURES • Very low on-state resistance • High-speed switching • No secondary breakdown • Low threshold. APPLICATIONS • Power management • DC-DC converters • General purpose switch. 文件：54.63 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
UN222	文件：105.36 Kbytes Page：5 Pages	Transistor array to drive the small motor Silicon PNP epitaxial planar type (3 elements) Silicon NPN epitaxial planar type (3 elements) For motor drives ■ Features • Small and lightweight • Low power consumption (low VCE(sat) transistor used) • Low voltage drive • Transistors with built-in resistor with 6 elements incorporated 文件：105.36 Kbytes 页数：5 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC

晶体管资料

型号：
MJE222
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD187,BD197,SDD373B,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
40
htest：
999900
atest：
4
wtest：
15

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.3@50mA@500mA2.5@1mA@4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
40V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
1500mW
Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Type：
NPN

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