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MJD112中文资料蓝箭电子数据手册PDF规格书

MJD112
厂商型号

MJD112

参数属性

MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

功能描述

Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.

文件大小

821.64 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.
企业简称

FOSHAN蓝箭电子

中文名称

佛山市蓝箭电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-20 23:25:00

晶体管资料

  • 型号:

    MJD112

  • 别名:

    MJD112三极管、MJD112晶体管、MJD112晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Darl

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-217

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    20

MJD112规格书详情

Descriptions

Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.

Features

High DC current gain, built-in a damper diode at E-C,electrically similar to popular TIP112.

Applications

Medium power switching applications.

产品属性

  • 产品编号:

    MJD112-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    3V @ 40mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    25MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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