MJD112分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MJD112 |
参数属性 | MJD112 封装/外壳为TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
功能描述 | Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package. |
封装外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
文件大小 |
821.64 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. |
企业简称 |
FOSHAN【蓝箭电子】 |
中文名称 | 佛山市蓝箭电子股份有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-22 23:00:00 |
人工找货 | MJD112价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
MJD112三极管、MJD112晶体管、MJD112晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Darl
- 性质:
低频或音频放大 (LF)
- 封装形式:
贴片封装
- 极限工作电压:
- 最大电流允许值:
2A
- 最大工作频率:
<1MHZ或未知
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
- 最大耗散功率:
20W
- 放大倍数:
- 图片代号:
G-217
- vtest:
0
- htest:
999900
- atest:
2
- wtest:
20
MJD112规格书详情
Descriptions
Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.
Features
High DC current gain, built-in a damper diode at E-C,electrically similar to popular TIP112.
Applications
Medium power switching applications.
产品属性
- 产品编号:
MJD112-1G
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
管件
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
3V @ 40mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
20µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
1000 @ 2A,3V
- 频率 - 跃迁:
25MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
- 供应商器件封装:
I-PAK
- 描述:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
42 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
TO-252 |
6000 |
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ON |
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MOTOROLA/摩托罗拉 |
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TO252 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO252 |
2000 |
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原装正品现货库存价优 |
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ON |
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23+ |
DPAK |
7750 |
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