MJB45H11分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
MJB45H11 |
参数属性 | MJB45H11 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 10A D2PAK |
功能描述 | Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
184.81 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | ONSEMI |
中文名称 | 安森美半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-5 16:01:00 |
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MJB45H11规格书详情
MJB45H11属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的MJB45H11晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Complementary power transistors are for general purpose power
amplification and switching such as output or driver stages in
applications such as switching regulators, converters and power
amplifiers.
特性 Features
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
• Fast Switching Speeds
• Complementary Pairs Simplifies Designs
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V
Machine Model, C > 400 V
• NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号:
MJB45H11
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 400mA,8A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 4A,1V
- 频率 - 跃迁:
40MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
D²PAK
- 描述:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
23+ |
TO-263 |
22 |
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ON/安森美 |
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D2PAK3LEAD |
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ON/安森美 |
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TO-263-3 |
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