MJB44H11分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MJB44H11 |
| 参数属性 | MJB44H11 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 80V 10A D2PAK |
| 功能描述 | Complementary Power Transistors |
| 文件大小 |
75.98 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-26 23:44:00 |
MJB44H11规格书详情
Complementary Power Transistors
D2PAK for Surface Mount
Complementary power transistors are for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers.
Features
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage − VCE(sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A
• Fast Switching Speeds
• Complementary Pairs Simplifies Designs
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V
Machine Model, C > 400 V
• Pb−Free Packages are Available
MJB44H11属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。安森美半导体公司制造生产的MJB44H11晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
MJB44H11
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 400mA，8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 4A，1V
- 频率 - 跃迁：
50MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D²PAK
- 描述：
TRANS NPN 80V 10A D2PAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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